レーザーダイオード製品 ------>>810nm ハイパワーレーザーダイオード(810nm High-power Laser Diode) (PDF)
1.製品写真
2.製品紹介（Description）
808nmレーザーダイオードは最適量子井戸構造設計及び各種構造を採用し、室温にて連続的に0.3W、0.5W、1.0W、2.0Wのパワーを出力できる。固体レーザーの励起光源、医療、目標ガイド、光通信等の分野に応用できる。
3.重要特性（Key Features）
連続出力パワー：0.3W、0.5W、1.0W、2.0W
ヒートシンクとTO-3パッケージ
高い信頼性
高い効率
4.応用範囲（Applications）
固体レーザーの励起光源 Solid-state Laser Pumping
赤外光源 Infra-red Source
医療 Medical Usage
目標ガイド Beacons and Illumination
フリースペース光通信 Free-space Communication
5. 性能規格（Specification）
パラメータ Parameter |
記号 Symbol |
最小値 Min. |
基本値 TYP. |
最大値 MAX. |
単位 uNit |
中心波長 Central Wavelength |
λ |
800 |
808 |
820 |
nm |
連続出力パワー CW output Power |
P o |
0.3 |
- |
2 |
W |
閾値電流 Threshold Current |
I th |
- |
- |
- |
A |
作動電流 Operating Current |
I o |
- |
- |
- |
A |
作動電圧 Operating Voltage |
Vf |
- |
1.85 |
2 |
V |
微分量子 効率 Differential Efficiency |
Es |
0.95 |
1.05 |
1.25 |
W/A |
ビーム広かる 角 Beam Divergence |
Θ ⊥ ×Θ ∥ |
- |
36 × 8 |
42 × 10 |
deg |
シリ-ズ抵抗 Series Resistance |
Rd |
- |
- |
- |
Ω |
操作増 温度 Operation Temperature |
T o |
10 |
- |
40 |
℃ |
貯蔵 温度 Storage Temperature |
T stg |
10 |
- |
40 |
℃ |
| 型番 Type Number |
Ｌ081T300m |
Ｌ081T500m |
Ｌ081T1 |
Ｌ081T2 |
| 連続出力パワー (W) |
0.3 |
0.5 |
1 |
2 |
| ピ-ク 波长 λ (nm) |
810±10 |
810±10 |
810±10 |
810±10 |
| スペクトル線幅 Δλ(nm) |
≤2.5 |
≤2.5 |
≤2.5 |
≤2.5 |
| 閾値電 流(A) |
≤0.10 |
≤0.13 |
≤0.24 |
≤0.50 |
| 操作 电流(A) |
≤0.40 |
≤0.63 |
≤1.24 |
≤2.55 |
| 操作 电压(V) |
≤2.0 |
≤2.0 |
≤2.0 |
≤2.0 |
| スロ-プ効率 (W/A) |
≥0.95 |
≥1.00 |
≥1.00 |
≥1.00 |
| ビーム広かる 角Θ ⊥ Θ ∥(deg) |
42×10 |
42×10 |
42×10 |
42×10 |
| 波長温度係数 （nm/℃） |
0.3 |
0.3 |
0.3 |
0.3 |
| 発光区面積 (µ m ) |
30×1 |
50×1 |
100×1 |
200×1 |
| シリ-ズ抵抗 (Ω) |
≤1.0 |
≤0.60 |
≤0.30 |
≤0.25 |
| 偏光 |
TE |
TE |
TE |
TE |
| 実装形式 |
TO3 or |
TO3 or |
TO3 or |
TO3 or |
| C-block |
C-block |
C-block |
C-block |
外形寸法（Mechanical Dimensions）
TO-3実装外形图
 
C-放熱ブロック外形图：
C-block 1(c):
 
 
性能グラフ（Typical Performance）
典型的な特性グラフ（L081T300m）
6. 安全ための说明（Safety Information）
レーザー光線は人間に危険です，特に目に注意して,レーザー発振中が目を直接直射に避けること。
L/D装置は適当なドライバ電源が必要です，瞬間の逆方向電流を25μAに越えないように, 又、逆方向 電圧を3Vに超えないように,瞬間電流を大きい過ぎるとL/D装置を損壊に恐れがあるため注意にしな ければならない。
結露によってL/D装置を損壊の恐れがあるので、結露を防ぐため,L/D装置を 干燥环境に保存又は操 作すること。
出力パワーが上限に超えるとL/D装置の劣化が早くなる。
L/D装置には充分の放熱或いは冷却条件が必要すること。
高い温度でL/D装置を作動すると，閾値電流が上がりによって，変換効率が下がり，劣化が早まる。
C-ブロックを使用時L/Dの芯を汚さない。
|
